由光学成像揭示Pt/CoO(001)双层中由电流密度调制的反磁性域开关
材料科学
2024-04-08 v1 应用物理
摘要
高效控制反磁性（AFM）薄膜中的域开关是推进反磁性存储器件的关键。本研究通过磁光双折射效应直接观察了Pt/CoO(001)双层中由电流驱动的CoO AFM域开关过程。观察到的AFM域开关临界电流密度在不同CoO厚度下几乎保持不变，associated with一致的开关极性n j，suggesting 该现象主要归因于热力磁弹性效应，其中n和j分别代表Neel向量和电流密度向量。进一步的确认来自Pt/Al2O3/CoO样本中观察到的类似开关过程，排除了自旋电流注入的贡献。令人惊讶的是，Neel向量甚至可以在更高电流密度下沿电流方向平行于开关（n//j）。我们的发现不仅增进了对当前驱动AFM域开关的理解，也为操控AFM域提供了新的途径。
引用
@article{arxiv.2404.04000,
title = {Current-density-modulated Antiferromagnetic Domain Switching Revealed by Optical Imaging in Pt/CoO(001) Bilayer},
author = {Tong Wu and Haoran Chen and Tianping Ma and Jia Xu and Yizheng Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2404.04000},
year = {2024}
}
备注
22 pages, 6 figures