全非晶 W-Hf / CoFeB / TaOx 薄膜中的超低开关电流密度
材料科学
2020-09-23 v3
摘要
我们在具有垂直磁各向异性和大自旋霍尔角的全非晶 WHf/CoFeB/TaO 中，通过极向克尔显微镜研究电流诱导的确定性磁化翻转与畴壁运动。将磁化翻转作为面内辅助场与电流脉冲宽度的函数进行研究，得到低至 A/m 的开关电流密度。我们将此低开关电流密度归因于低退钉扎电流密度，后者由电流注入下的畴壁位移测量获得。通过 Ta/CoFeB/MgO/Ta 参考样品的研究验证了该关联，该参考样品的临界电流密度分别至少大一个数量级。
引用
@article{arxiv.1910.13837,
title = {Ultra-low switching current density in all-amorphous W-Hf / CoFeB / TaOx films},
author = {Katharina Fritz and Lukas Neumann and Markus Meinert},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.13837},
year = {2020}
}
备注
9 pages, 8 figures