非共线反铁磁体 Mn$_3$GaN 的电流开关效应

我们报道了室温下非共线反铁磁（AFM）Mn$_3$GaN/Pt 双层膜的电流开关效应。这些双层膜的霍尔电阻可通过施加 $1.5\times10^6$~A/cm$^2$ 的脉冲电流来调控，而在 Mn$_3$GaN 单层膜中直至 $\sim10^8$~A/cm$^2$ 均未观察到显著变化，表明 Pt 层起着重要作用。与亚铁磁 Mn$_3$GaN/Pt 双层膜相比，非共线 AFM Mn$_3$GaN 展现出更低的电流开关效应，其临界电流密度小两个数量级。我们的结果凸显了非共线 AFM 反钙钛矿氮化物与自旋矩技术相结合是 AFM 自旋电子学的良好平台。