电流拥挤介导的石墨烯场效应晶体管中的大接触噪声
介观与纳米尺度物理
2017-02-02 v2
摘要
石墨烯-金属界面电阻的固有随时间波动或接触噪声，对石墨烯场效应晶体管性能的影响可能与接触电阻本身一样不利，但很大程度上未被探索。这里我们研究了不同器件几何和接触配置的石墨烯场效应晶体管中的接触噪声，载流子迁移率范围从5,000到80,000cmVs。我们针对纯二维导体中电流拥挤引起的接触噪声的现象学模型，证实在所有石墨烯场效应晶体管中，在两探针或侵入式四探针配置下，接触主导了测量的电阻噪声，并且令人惊讶地，在高迁移率器件中近乎非侵入式四探针（霍尔条）配置下也是如此。接触噪声的微观起源直接联系于金属-沟道界面波动的静电环境，这可能是基于二维材料的电子器件的普遍现象。
引用
@article{arxiv.1611.01181,
title = {Current crowding mediated large contact noise in graphene field-effect transistors},
author = {Paritosh Karnatak and T. Phanindra Sai and Srijit Goswami and Subhamoy Ghatak and Sanjeev Kaushal and Arindam Ghosh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.01181},
year = {2017}
}
备注
Revised version after peer review. Main: 9 pages, 4 figures