CuMn-V化合物：从低温半金属到高温半导体反铁磁体的转变
材料科学
2011-03-01 v1
摘要
我们报告了对CuMn-V反铁磁体的理论和实验研究。先前的工作显示了半Heusler CuMnSb的低温反铁磁性和半金属电子结构。在本文中，我们提出了在稳定的正交相CuMnAs和CuMnP中高温反铁磁性的理论预测。CuMnAs的电子结构处于从半金属到半导体的过渡状态，我们预测CuMnP是半导体。我们表明，在亚稳态半Heusler和稳定的正交晶体结构中，引入较轻的V族元素都会导致向类半导体能带结构的转变。另一方面，正交相对于高奈尔温度至关重要。我们对化学合成的CuMnAs进行的X射线衍射、磁化、输运和中子衍射测量结果与理论预测一致。
引用
@article{arxiv.1102.5373,
title = {CuMn-V compounds: a transition from semimetal low-temperature to semiconductor high-temperature antiferromagnets},
author = {F. Maca and J. Masek and O. Stelmakhovych and X. Marti and K. Uhlirova and P. Beran and H. Reichlova and P. Wadley and V. Novak and T. Jungwirth},
journal= {arXiv preprint arXiv:1102.5373},
year = {2011}
}
备注
7 pages, 10 figures