室温半导体 NaMnAs 的单晶研究及电子结构探究
材料科学
2022-04-06 v1
摘要
我们报道了单晶 NaMnAs 的合成，确认其反铁磁序，并通过光电子能谱对样品进行表征。电子结构通过光学透射、X 射线与紫外光谱研究，并采用局域密度近似（LDA）及扩展至 LDA+U 的理论建模（由此确定海森堡模型参数）进行研究。光学透射测量证实了 NaMnAs 为半导体的理论预言。此外，基于磁化强度温度依赖，首次更精确地确定了 N\'eel 温度，与我们的蒙特卡洛模拟一致。
引用
@article{arxiv.2109.03348,
title = {Single crystal studies and electronic structure investigation of a room-temperature semiconductor NaMnAs},
author = {J. Volny and V. Holy and K. Charvatova and M. Veis and M. Vondracek and J. Honolka and E. Duverger-Nedellec and J. Schusser and S. W. D'Souza and J. Minar and J. M. Pientka and A. Marmodoro and K. Vyborny and K. Uhlirova},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.03348},
year = {2022}
}
备注
11 pages, 11 figures