铜在氮化硼纳米网上的欠电位沉积

氮化硼纳米网是Rh(111)上皱褶的六方氮化硼（h-BN）单层，迄今主要在超高真空条件下被研究。本文中，我们探究如何利用铜欠电位沉积（upd）来量化氮化硼单层中的缺陷，并评估该纳米网的电位窗口，这对在环境与电化学条件下探索其功能至关重要。在稀硫酸中，h-BN/Rh(111)的电位窗口接近1伏，即大于Rh基底，其负端受分子析氢限制，正端受氧化剥离限制。根据原始h-BN/Rh(111)晶圆样品上的铜upd，我们估算集体缺陷比例约为几何面积的0.08–0.7%，这可能源自化学气相沉积过程中h-BN层产生的线与点缺陷。过电位沉积（opd）被证明对缺陷面积有显著影响。我们推测这一非良性Cu电沉积涉及始于初始缺陷的插层，引起h-BN层不可逆剥落；该效应或可用于二维材料纳米工程。在相关时间尺度上，upd本身在重复循环中不改变缺陷面积；因此，金属upd可望作为测定二维材料与各类基底金属杂化体中集体缺陷面积的通用工具。