通过维度限域与异质外延调控半金属性以控制磁电阻
材料科学
2022-01-06 v7 介观与纳米尺度物理
摘要
通过能带结构工程调控电子性质是现代半导体器件的核心。在此，我们将这一概念推广至半金属：以LuSb为模型体系，我们表明量子限域消除了载流子补偿，并差异性地影响电子型与空穴型载流子的迁移率，从而强烈改变其大而非饱和的磁电阻行为。半金属（LuSb）与半导体（GaSb）异质外延界面处的键合失配导致一种新颖的二维界面空穴气出现，并伴随跨界面的电荷转移，在超薄极限下提供了另一条修饰电子结构与磁输运性质的途径。我们的工作提出了一种利用受限薄膜几何与异质外延界面来设计半金属体系电子结构的通用策略，其可控制磁电阻行为，同时为其起源提供见解。
引用
@article{arxiv.2002.06167,
title = {Controlling magnetoresistance by tuning semimetallicity through dimensional confinement and heteroepitaxy},
author = {Shouvik Chatterjee and Shoaib Khalid and Hadass S. Inbar and Taozhi Guo and Yu-Hao Chang and Elliot Young and Alexei V. Fedorov and Dan Read and Anderson Janotti and Christopher J. Palmstrøm},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.06167},
year = {2022}
}
备注
14 pages, 6 figures, Supplementary Information 11 pages, 10 figures