通过屏蔽效应控制纳米棒的生长
介观与纳米尺度物理
2010-03-12 v1 材料科学
摘要
我们在本报告中证明，当在岛状生长中考虑屏蔽效应时，纳米棒可以在瞬态丘的顶部自发生长。最顶层生长层的数量被定义为活性长度，该长度随着屏蔽效应的增强而减小。由此可知，纳米棒下方瞬态丘的厚度随活性长度的平方增加，而较小的活性长度有利于纳米棒的形成。
引用
@article{arxiv.1003.2265,
title = {Controlling growth of nanorod via screening effects},
author = {Da-Jun Shu and Xiang Xiong and Zhao-Wu Wang and Mu Wang and RU-Wen Peng and Nai-Ben Ming},
journal= {arXiv preprint arXiv:1003.2265},
year = {2010}
}
备注
3 pages, 3 figures