通过少层 GaSe 的厚度变化调控激子吸收
介观与纳米尺度物理
2019-07-17 v2 材料科学
摘要
我们在单层尺度上控制 GaSe 的厚度，并通过高灵敏度差分透射测量研究相应的光学吸收。当层数小于临界值 8 时，观察到激子跃迁受到抑制。通过第一性原理建模，我们能够将此行为关联到能带结构的根本变化，该变化导致薄层 GaSe 中形成倒墨西哥帽形的价带。这种由厚度调控的光学性质调制，为基于单一材料开发功能性光电子器件提供了引人注目的资源。
引用
@article{arxiv.1712.06330,
title = {Control of excitonic absorption by thickness variation in few-layer GaSe},
author = {Arne Budweg and Dinesh Yadav and Alexander Grupp and Alfred Leitenstorfer and Maxim Trushin and Fabian Pauly and Daniele Brida},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.06330},
year = {2019}
}