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基于j-j耦合方案构建f电子系统的微观模型

强关联电子 2009-11-07 v1

摘要

我们构建了一个由f电子 hopping、库仑相互作用和晶体场(CEF)项组成的f电子系统微观模型。为了阐明单个f电子状态的意义,考虑了j-j耦合方案,因为在f电子系统中自旋轨道相互作用通常很大。因此,每个位置的f电子状态用μ标号,即总角动量j的z分量。通过注意f轨道的对称性,f电子状态之间的hopping幅值使用Slater积分表示。μ状态之间的库仑相互作用项采用Slater-Condon或Racah参数表示。最后,从Hutchings的表格中获得CEF项。构建的哈密顿量被视为一种包含两个伪自旋和三个伪轨道自由度的轨道退化 Hubbard 模型,因为它包括两个伪自旋和三个伪轨道自由度。为了实际应用,进一步简化为几个两轨道模型,通过舍弃其中三个轨道之一来实现。其中一个简化模型在这里使用精确对角化方法进行分析,以通过计算各种相关函数来阐明基态性质。特别地,基于离域长程序的概念,仔细计算了轨道退化系统中的超导配对相关函数。我们尝试讨论当前结果与最近发现的重铀超导体CeMIn5_5(M=Ir, Co, Rh)的实验观察之间的可能关系,并从微观视角讨论理解所谓“115”材料(如CeMIn5_5, UMGa5_5, PuCoGa5_5)中超导性和抗磁性趋势的综合情景。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0211467,
  title  = {Construction of microscopic model for f-electron systems on the basis of j-j coupling scheme},
  author = {Takashi Hotta and Kazuo Ueda},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0211467},
  year   = {2009}
}

备注

16 pages, Revtex, with 6 figures embedded in the text. Submitted to Phys. Rev. B