基于电压操控的互补型斯格明子赛道存储器
介观与纳米尺度物理
2017-02-21 v1 新兴技术
摘要
磁性斯格明子因其拓扑稳定性、小尺寸以及驱动所需的极低电流，有望成为下一代存储与逻辑器件中的信息载体。斯格明子最具潜力的应用之一是设计赛道存储器（RM），称为 Sk-RM，以替代利用畴壁（DW）的方案。然而，当前研究面临若干关键设计挑战，例如斯格明子操控、数据表示与同步等。为应对这些挑战，我们在此提出一种具有电压操控的互补型 Sk-RM 结构。所提出设计的功能与性能通过微磁学模拟进行了研究。
引用
@article{arxiv.1602.08799,
title = {Complementary Skyrmion Racetrack Memory with Voltage Manipulation},
author = {Wang Kang and Chentian Zheng and Yangqi Huang and Xichao Zhang and Yan Zhou and Weifeng Lv and Weisheng Zhao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.08799},
year = {2017}
}
备注
3 pages, 4 figures