面向大容量片上存储的赛道存储器前景：从器件到系统
材料科学
2016-02-09 v1
摘要
电流诱导畴壁运动（CIDWM）被认为是实现新兴高密度、高速和低功耗非易失性器件的一种有前途的途径。赛道存储器是一种基于该现象的自旋电子存储器，可以沿磁性纳米线存储和传输一系列数据。然而，存储容量问题始终是阻碍其应用于实际系统的最严重瓶颈之一。本文关注赛道存储器走向大容量的潜力。开展了从器件级到系统级的研究。提出并阐明了多种提高赛道存储器容量的替代机制，例如磁场辅助、手性畴壁运动和电压控制的灵活畴壁钉扎。它们都能增加纳米线长度，从而提升大容量赛道存储器的可行性。通过使用 SPICE 兼容的赛道存储器电学模型和商用 CMOS 28 nm 设计套件，进行了混合仿真以验证其功能并分析其性能。系统级评估展示了容量提升对整体系统的影响。与传统基于 SRAM 的缓存相比，基于赛道存储器的缓存在执行时间和能耗方面显示出优势。
引用
@article{arxiv.1602.02228,
title = {Perspectives of Racetrack Memory for Large-Capacity On-Chip Memory: From Device to System},
author = {Yue Zhang and Chao Zhang and Jiang Nan and Zhizhong Zhang and Xueying Zhang and Jacques-Olivier Klein and Dafine Ravelosona and Guangyu Sun and Weisheng Zhao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.02228},
year = {2016}
}