电流诱导磁赛道中多个斯格明子与畴壁对动力学及基于斯格明子的多数门设计
新兴技术
2017-02-23 v2
摘要
作为一种引人入胜的超小类粒子磁纹理，斯格明子在下一代超高密度、低功耗磁存储/逻辑设计中引起了大量研究兴趣。以往研究已展示在特殊设计的磁赛道结中单个斯格明子-畴壁对的碰撞。本工作中，我们研究了磁赛道中多个斯格明子与畴壁对的动力学。数值微磁模拟结果表明，畴壁对可被矩形缺口钉扎位点钉扎或脱钉，这取决于赛道中斯格明子的数量以及驱动电流密度的大小。这种涌现的动力学特性可用于实现阈值可调的阶跃函数，其中输入为斯格明子，阈值可由驱动电流密度调节。阈值可调阶跃函数广泛应用于逻辑和神经网络应用。我们还提出了一种三输入基于斯格明子的多数逻辑门设计，以展示这种多个斯格明子与畴壁对动态相互作用的潜在应用。
引用
@article{arxiv.1702.04814,
title = {Current Induced Dynamics of Multiple Skyrmions with Domain Wall Pair and Skyrmion-based Majority Gate Design},
author = {Zhezhi He and Shaahin Angizi and Deliang Fan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.04814},
year = {2017}
}