双道赛道上的磁斯格明子

磁斯格明子是磁化中的粒子状织构，由拓扑缠绕数表征。纳米尺度的斯格明子已在室温下的磁性多层结构中观测到。小尺寸、拓扑量子化及其高效的电操控相结合，使其成为高性能存储器件中信息载体的有吸引力的候选者。已有人提出一种斯格明子赛道存储器，其中信息编码在一维纳米带中运动的斯格明子之间的距离中。在此，我们提出一种替代设计，其中斯格明子在两条（或更多）平行道中运动，信息存储在每个斯格明子的道编号中。这种多道赛道可以通过控制纳米带的高度轮廓来构建。窄纳米带中排斥性的斯格明子-斯格明子相互作用保证了不同道上的斯格明子不能相互超越。电流脉冲可用于诱导变道。结合这些要素，为基于斯格明子的存储器件提供了一种稳健、高效的设计。