基于各向异性材料中磁泡的四进制数据存储

被称为磁斯格明子的拓扑非平庸纳米涡旋，常被认为在如赛道数据存储器件等自旋电子学应用中颇具吸引力。然而，斯格明子并不沿外加电流平行运动，且通常无法与其他纳米物体共存，使得此类存储概念难以实现。本文我们考虑具有各向异性DMI的材料，如四方Heusler材料，并展示四种不同类型的拓扑平庸磁泡可共存。我们表明它们均可通过自旋力矩写入，且可利用单个磁隧道结加以区分。由于其平庸拓扑，这四类磁泡沿外加电流平行运动，并在运动中保持等距。尽管如此，这些磁泡具有与拓扑非平庸自旋纹理相当的小尺寸和高稳定性。这使得构建一种基于四进制数字的赛道存储器件成为可能，其克服了上述斯格明子赛道的两个缺陷。