基于斯格明子的单纳米条逻辑门：通过手性势垒完全重构
材料科学
2022-01-24 v2 应用物理
摘要
基于磁元件的逻辑门是具有非易失数据存储、近零泄漏和可扩展性等优点的逻辑内存一体（logic-in-memory）应用的有前途候选者。然而，在此类基于自旋的逻辑器件中，多带结构和较少功能阻碍了集成度提升和能耗降低。本文提出一种基于斯格明子的单纳米条逻辑族，包括 AND、OR、NOT、NAND、NOR、XOR 和 XNOR，可通过在赛道存储器上构建并切换 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用（DMI）手性势垒来实现和重构。除 DMI 手性势垒对斯格明子的钉扎效应外，还利用 DMI 的局部反转实现并展示了具有相反手性的两个斯格明子的湮灭、融合和分流，这些是设计工程可编程逻辑纳米条、晶体管和互补赛道存储器所必需的。
引用
@article{arxiv.2201.06182,
title = {Skyrmions-based logic gates in one single nanotrack completely reconstructed via chirality barrier},
author = {Dongxing Yu and Hongxin Yang and Mairbek Chshiev and Albert Fert},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.06182},
year = {2022}
}
备注
Accepted by National Science Review