带反点的斯格明子赛道存储器
材料科学
2020-08-28 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
斯格明子赛道存储器在未来非易失性固态器件中具有巨大潜力。通常此类器件需要电流通过自旋转移矩（STT）效应来成核斯格明子。此外，还需电流驱动纳米线器件中的斯格明子。然而，连续斯格明子成核期间施加的电流可能对已生成斯格明子的传播产生不必要的扰动，即焦耳热与斯格明子霍尔效应。因此需要新方法将斯格明子的生成与传播解耦。在此，我们提出一种基于微磁模拟的新途径，利用局域奥斯特场在铁磁纳米轨道中由三角形反点结构生成斯格明子。反点是磁性纳米元件中的孔。通过调节置于纳米轨道两端的反点尺寸，可实现受控的斯格明子注入。通过增加反点数量可同时生成多个斯格明子。本文提出一种实现斯格明子赛道存储器的新型设计，可在纳米轨道内独立生成与操控斯格明子。
引用
@article{arxiv.1907.03449,
title = {Skyrmion Racetrack memory with an antidot},
author = {Aroop Kumar Behera and Chandrasekhar Murapaka and Sougata Mallick and Braj Bhusan Singh and Subhankar Bedanta},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.03449},
year = {2020}
}