CMOS 2.0——重新定义未来规模化的未来
新兴技术
2025-12-11 v2
摘要
我们提出通过利用先进芯片制造中的两种最新技术，即 3D 硫键和背面加工，来重新审视功能规模化范式，从而提出 CMOS 2.0 平台。这种方法将 CMOS 路线图从几何规模化转向细粒度异构 3D 堆叠的专用活性器件层，以实现未来技术代际所期望的终极功耗-性能-面积和成本收益。然而，高效利用此类平台需要设计出能够最优映射到该技术上的体系结构，以及支持它的 EDA 基础设施。我们还讨论了可靠性问题及其缓解措施。本文为在 CMOS 2.0 中系统设计的主要 disruptive 提供了指引。
引用
@article{arxiv.2510.04535,
title = {CMOS 2.0 -- Redefining the Future of Scaling},
author = {Moritz Brunion and Navaneeth Kunhi Purayil and Francesco Dell'Atti and Sebastian Lam and Refik Bilgic and Mehdi Tahoori and Luca Benini and Julien Ryckaert},
journal= {arXiv preprint arXiv:2510.04535},
year = {2025}
}
备注
8 pages, 5 figures, ICCAD 2025