层状材料异质结构中的界面清洁

由堆叠层状材料形成的异质结构需要原子级清洁的界面。然而，污染物通常被夹在层间，聚集成鼓泡。我们报道了一种去除此类鼓泡从而获得清洁界面的工艺。我们制备了被六方氮化硼封装、面积达$\sim$5000$\mu$m$^{2}$的无鼓泡石墨烯区域，其大小仅受限于剥离薄片尺寸。这些区域在室温下迁移率高达$\sim$180000cm$^2$V$^{-1}$s$^{-1}$，在9K下高达$\sim$1.8$\times$10$^6$cm$^2$V$^{-1}$s$^{-1}$。我们进一步通过清洁使用故意暴露于聚合物与溶剂的石墨烯组装的异质结构，证明了该方法的有效性。清洁后，这些样品达到了类似的高迁移率。我们还通过清洁基于MoS$_{2}$的其他异质结构中的鼓泡，展示了我们方法对层状材料的普遍适用性。这表明石墨烯暴露于工艺相关污染物与实现高迁移率样品是相容的，为开发基于 fabrication 的工艺以将层状材料集成到（光）电子器件中铺平了道路。