基于霍尔纹理的轨子绝缘体与谷子螺旋序在莫尔材料中的研究
强关联电子
2026-03-20 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们探讨了莫尔材料的相图，以寻找一种新型区间谱相干 insulating 态：赫尔纹理绝缘体 (CTI)。这种物质态提出于伴随论文中，破坏了谷子 对称性，以一种非平凡的方式进行，即谷子序参量因带拓扑而被迫在动量空间中形成纹理。通过详细的哈特里-福克研究，我们确立了 CTI 在几种 lacking twofold 旋转对称性的莫尔体系中，作为能量竞争的中间耦合基态出现，这些体系 lack 单粒子拓扑，因而阻止了 CTI 谷子纹理的形成。
引用
@article{arxiv.2406.15342,
title = {Chern-Textured Exciton Insulators with Valley Spiral Order in Moir\'e Materials},
author = {Ziwei Wang and Yves H. Kwan and Glenn Wagner and Steven H. Simon and Nick Bultinck and S. A. Parameswaran},
journal= {arXiv preprint arXiv:2406.15342},
year = {2026}
}
备注
12 + 2 pages