莫烈拓扑绝缘体中的谷位序
介观与纳米尺度物理
2025-09-10 v1 强关联电子
摘要
具有时间反演伴侣谷位中相反非零小带芯数的莫烈材料，在能隆填满 时为二维拓扑绝缘体。我们探讨了在能隆填满 时，是否存在由相互作用诱导绝缘体中的区间谱相干的问题。本研究以磁场方向相反的 Landau 能级作为便利的通用模型。若不存在谷内相互作用， 的均衡基态为无能隙区间谱相干态，其经对一个谷位进行粒子-空穿发射变换后，映射为一种此前已研究的强场超导量子子态。当内谱作用与区间谱作用之比 增大后，出现能隙态，其中一种具有破坏时间反演对称性并实现谷化简的量子霍尔效应，但无谷位极化；另一种具有破坏奇偶性对称性且霍尔导电率为零。我们讨论了后者态可能与最近在莫烈拓扑绝缘体中在奇数能隆填满因子处观察到的分数量子自旋霍尔效应有关，并就其中电子在拥有相反芯数能带之间的相关性可能发挥关键作用的相关系统作出评论。
引用
@article{arxiv.2509.07784,
title = {Valley Order in Moir\'e Topological Insulators},
author = {Bo Zou and Anzhuoer Li and Allan H. MacDonald},
journal= {arXiv preprint arXiv:2509.07784},
year = {2025}
}