C$_{60}$ 晶体电场掺杂后的电荷分布
超导电性
2007-05-23 v1
摘要
本文报告了 C-基 FET 结构中电荷分布的计算结果。提出了一个简单模型来描述注入电子或空穴在二维层之间的分布。计算表明，各层相对电荷分布随注入总电荷量而保持不变。电荷密度在表面层最高，随深度增加呈指数衰减。在电子注入和空穴注入情况下，注入电荷在顶层所占比例分别为 73% 和 64%。因此，晶体表面的电荷局域化与在紧束缚模型下（该模型假设电荷浓度可致超导）近似完全局域化的结果有显著不同。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0206290,
title = {Charge distribution in C$_{60}$ crystal doped by electric field},
author = {V. A. Kuprievich and O. L. Kapitanchuk and O. V. Shramko},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0206290},
year = {2007}
}
备注
3 pages (RevTex), 2 PS figures (reported at 4th Intern. Conf. on Electronic Processes in Organic Materials, Lviv(Ukraine), June 3-8, 2002)