表面掺杂 C60 的电荷分布
超导电性
2009-11-07 v2
摘要
我们研究了 C60-FET (场效应晶体管) 的电荷分布，这种器件用于 Schoen、Kloc 和 Batlogg 实验。我们采用紧束缚模型计算电荷分布，并以均匀场近似法处理库仑相互作用。电荷分布的行为类似于连续空间电荷层，特别是当掺杂浓度超过约 0.3 个电子(或空穴)每分子 C60 时，电荷被限制在单一界面层。C60 分子的六面体无序会平滑能级密度的结构。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0106433,
title = {Charge profile of surface doped C60},
author = {Samuel Wehrli and Didier Poilblanc and T. M. Rice},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0106433},
year = {2009}
}
备注
6 pages, 9 figures