掺杂抗磁性绝缘体中的电荷密度分布
强关联电子
2009-11-10 v1
摘要
我们在软型Faddeev-Niemi模型框架下，考察了掺杂抗磁性绝缘体各向异性态中的电荷密度纳米尺度配置形式。结果表明，在特定掺杂水平和温度范围内，电荷密度以闭合准一维结构形式更为可取。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0302253,
title = {Charge Density Distributions in Doped Antiferromagnetic Insulators},
author = {L. S. Isaev and A. P. Protogenov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0302253},
year = {2009}
}
备注
LaTeX2e, 6 pages, 1 figure