FBK 制备的质子辐照 3D-DDTC 像素传感器原型的表征
仪器与探测器
2012-05-02 v2
摘要
本文讨论了与 FBK（意大利特伦托）制备的、面向 ATLAS 升级的 3D 双面双类型柱（3D-DDTC）像素传感器相关的结果。这些传感器的一些组件具有不同的柱状电极配置（每个像素 2、3 或 4 列），并与 ATLAS FEI3 读出芯片耦合，被辐照至高质子注量并在实验室中使用放射源进行了测试。尽管柱状电极重叠未优化，传感器在高达 2 x 10**15 neq/cm2 的辐照注量下仍表现出相当好的电荷收集特性，同时所需偏压约为 100 V。通过 TCAD 模拟进一步研究了传感器的运行，该模拟能有效解释辐照后导致电荷损失的基本机制。
引用
@article{arxiv.1112.2854,
title = {Characterization of proton irradiated 3D-DDTC pixel sensor prototypes fabricated at FBK},
author = {A. La Rosa and M. Boscardin and M. Cobal and G. -F. Dalla Betta and C. Da Via and G. Darbo and C. Gallrapp and C. Gemme and F. Huegging and J. Janssen and A. Micelli and H. Pernegger and M. Povoli and N. Wermes and N. Zorzi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.2854},
year = {2012}
}
备注
Preprint submitted to Nuclear Instruments and Methods A, 11 pages, 13 figs