辐照二极管内平面电场的测绘
仪器与探测器
2021-03-30 v1 高能物理 - 实验
摘要
ATLAS探测器二期升级的一个重要方面是将当前的内探测器替换为ATLAS内径迹仪(ITk)。ATLAS ITk是一个全硅探测器,由像素径迹仪和条带径迹仪组成。ITk条带径迹仪的传感器被开发用于承受CERN大型强子对撞机高亮度升级后ATLAS探测器中的高辐射环境,该升级将显著提高粒子碰撞率及由此产生的粒子径迹数。在ATLAS探测器运行期间,ITk条带径迹仪传感器预计会累积高达1.6 x 10^15 n_eq/cm^2(含1.5倍安全系数)的通量,这将显著影响其性能。高辐照传感器的关注特性之一是其有源区内电场的形状与均匀性。对于此处呈现的结果,具有类似于全尺寸ATLAS传感器边缘结构的二极管被辐照至与ATLAS ITk条带径迹仪相当的通量,并使用微聚焦X射线束(束斑直径2x3 μm^2)对其电场进行测绘。本研究展示了高辐照二极管内电场在不同外加偏压范围内的扩展与形状。此外,对耗尽传感器区域轮廓的测量使得不同通量下测得的漏电流与相应有源区的预期值得以比较。
引用
@article{arxiv.2103.15807,
title = {Mapping the in-plane electric field inside irradiated diodes},
author = {L. Poley and A. J. Blue and C. Buttar and V. Cindro and C. Darroch and V. Fadeyev and J. Fernandez-Tejero and C. Fleta and C. Helling and C. Labitan and I. Mandić and S. N. Santpur and D. Sperlich and M. Ullán and Y. Unno},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.15807},
year = {2021}
}
备注
published in the proceedings of the 12th International "Hiroshima" Symposium on the Development and Application of Semiconductor Tracking Detectors (HSTD12)