掺杂能否使 Mott 绝缘体 TiOCl 金属化？一项第一性原理研究
强关联电子
2010-04-09 v2 材料科学
超导电性
摘要
我们在密度泛函理论框架下研究了层状 Mott 绝缘体 TiOCl 中 Na 插层的影响。结果表明，对于所有研究的 Na 浓度，体系始终保持绝缘态，且 Na 掺杂下谱权重的演化与近期光电子发射实验一致。我们预测了 Na 掺杂的超晶格结构，并分别展示了用 F 替代 O、用 S 替代 Cl、或用 V（或 Sc）替代 Ti 均无法使体系金属化。我们提出了一个准二维晶格上的多轨道离子 Hubbard 模型来描述该体系，并讨论了掺杂下绝缘态的本质。最后，提出了一条可能通过掺杂使 TiOCl 金属化的途径。
引用
@article{arxiv.0905.1276,
title = {Can the Mott Insulator TiOCl be Metallized by Doping? A First-Principles Study},
author = {Yu-Zhong Zhang and Kateryna Foyevtsova and Harald O. Jeschke and Martin U. Schmidt and Roser Valenti},
journal= {arXiv preprint arXiv:0905.1276},
year = {2010}
}
备注
4 pages, 4 figures (accepted in PRL)