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掺杂Mott绝缘体中普适金属色散的出现

强关联电子 2010-02-25 v1

摘要

我们研究了La2x_{2-x}Srx_xCuO4_4 (LSCO)在宽掺杂范围x=0.030.30x=0.03-0.30内、结合能延伸至数百meV的色散重整化ZdispZ_{disp}。强关联效应以这样一种方式协同作用:当接近Mott绝缘体时,系统表现出类似LDA的色散,该色散基本上“脱去外衣”(Zdisp1Z_{disp}\to 1)。我们发现Mott绝缘体包含具有消失谱权重的“萌芽”或“预形成”金属态,这对现有的铜氧化物理论方案提出了挑战。

关键词

引用

@article{arxiv.0809.2357,
  title  = {Appearance of Universal Metallic Dispersion in a Doped Mott Insulator},
  author = {S. Sahrakorpi and R. S. Markiewicz and Hsin Lin and M. Lindroos and X. J. Zhou and T. Yoshida and W. L. Yang and T. Kakeshita and H. Eisaki and S. Uchida and Seiki Komiya and Yoichi Ando and F. Zhou and Z. X. Zhao and T. Sasagawa and A. Fujimori and Z. Hussain and Z. -X. Shen and A. Bansil},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0809.2357},
  year   = {2010}
}

备注

7 pages, 4 figures. PRB 2008 in press