基于脉冲泵浦激光的全厚度 Ta 薄膜氧化
光学
2026-02-09 v1 生物物理
摘要
使用复合脉冲-纳秒脉冲模式（脉冲内脉冲或 Burst-in-Burst, BiB）在高 0.6 MHz 重复频率下实现了 1030 nm/200 fs 脉冲直接写入 200 nm Ta 薄膜的全覆盖氧化 TaO。在 12 m 焦点斑中心形成了几微米宽的线，通过受控氧化实现无熔化。氧化区域平整且光学透明。记录了由扫描 mm 区域形成的亚 1 m 规模的波长级自组织纹理，其周期图案约为波长，与写入光束偏振方向对齐。讨论了 200 fs 与 20 ps BiB 模式写入的能量沉积。本文提出的以 BiB fs 激光实现热沉积的自引导氧化策略，为无气溶胶、无烘焙的亚波长尺度氧化提供了可能。
引用
@article{arxiv.2602.06444,
title = {Burst-mode fs-laser direct writing for full-thickness oxidation of Ta thin films},
author = {Lina Grineviciute and Hsin-Hui Huang and Haoran Mu and Nguyen Hoai An Le and Andrew Siao Ming Ang and Dan Kapsaskis and Tomas Katkus and Saulius Juodkazis},
journal= {arXiv preprint arXiv:2602.06444},
year = {2026}
}