受受激发射损耗显微术启发的三维直接激光写入
光学
2011-08-25 v1
摘要
三维直接激光写入已成为纳米和微米技术中一种成熟、通用、广泛甚至易于商业化的“主力军”。然而，其横向和轴向空间分辨率本质上受阿贝衍射极限的限制——类似于光学显微术。在显微术中，受激发射损耗方法最近绕过了阿贝壁垒，使用可见光实现了低至 5.6 nm 的横向分辨率。在本文中，在简要回顾我们先前将光学显微术的这一成功转化到光学光刻的努力之后，我们介绍了在横向以及更重要的轴向方向上分辨率改进的最新结果。本文展示的结构为下一代直接激光写入光学光刻设定了新的分辨率基准。特别是，我们首次打破了横向和轴向阿贝判据。
引用
@article{arxiv.1105.5703,
title = {Three-dimensional direct laser writing inspired by stimulated-emission-depletion microscopy},
author = {Joachim Fischer and Martin Wegener},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.5703},
year = {2011}
}