利用 ENZ 纳米腔的超分辨双光子直写激光光刻
应用物理
2021-04-07 v1
摘要
报道了一种提高双光子直写光刻分辨率的新技术。得益于由异常 （近零）超材料特性所实现的高准直性，超薄介电超分辨纳米结构得以实现。相对于标准直写方法，结构的高度和宽度分别减小了 和 ，且结构高度可在 5nm 至 50nm 间调节。所提取的二维加工参数被用于制备超分辨三维结构。特别地，实现了达·芬奇《\textit{抱银鼠的女子}》的高细节介电浅浮雕（500 nm 总高）。该概念验证结果展示了在当前及开创性研究情景中，于防伪应用、平面光学和光子学方面的引人瞩目线索。
引用
@article{arxiv.2007.13509,
title = {Hyper Resolution Two Photon Direct Laser Writing using ENZ Nano-Cavity},
author = {Giuseppe Emanuele Lio and Tiziana Ritacco and Antonio Ferraro and Antonio De Luca and Roberto Caputo and Michele Giocondo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.13509},
year = {2021}
}
备注
The supplementary materials are also included in the same text