不同硒浓度下半导体晶体 $Cd_{1-x}Zn_{x}Te_{1-y}Se_{y}$ 的溴化甲醇刻蚀

研究了硒浓度对 $Cd_{1-x}Zn_{x}Te_{1-y}Se_{y}$ 半导体晶体溴化甲醇溶液刻蚀的影响。提出了一个热力学模型来描述 $Cd_{1-x}Zn_{x}Te$ 和 $Cd_{1-x}Zn_{x}Te_{1-y}Se_{y}$ 晶体的刻蚀程度。首次获得了描述不同硒浓度下 $Cd_{1-x}Zn_{x}Te_{1-y}Se_{y}$ 晶体刻蚀速率变化的热力学定律。实验构建了使用5%溴化甲醇溶液对名义 $x\sim 0.1$ 且硒浓度分别为 $y=0$、$y=0.02$、$y=0.06$ 和 $y=0.1$ 的 $Cd_{1-x}Zn_{x}Te_{1-y}Se_{y}$ 晶体样品的刻蚀轨迹和刻蚀速率的依赖关系。平均刻蚀速率分别为 24μm/min、18μm/min、15μm/min 和 13μm/min。识别并从理论上解释了从三元 $Cd_{1-x}Zn_{x}Te$ 到四元 $Cd_{1-x}Zn_{x}Te_{1-y}Se_{y}$ 晶体转变时刻蚀速率急剧下降的阈值效应，该效应与晶体结构硬化有关。获得的实验数据与理论估计吻合良好，将有助于选择晶体处理的最优条件。