约束势中的Bose-Hubbard模型：一种非均匀平均场理论
量子气体
2015-06-03 v1
摘要
我们针对具有谐振陷阱的光学晶格中的玻色子，对Bose-Hubbard（BH）模型中的莫特绝缘体（MI）和超流（SF）壳层进行了广泛研究。为此，我们发展了一种非均匀平均场理论。我们对一种无自旋玻色子的BH模型的结果与量子蒙特卡洛（QMC）模拟定量一致。我们的方法在数值上比此类模拟更高效，因此能够对实验上可实现的、大型三维系统进行计算，探索广泛的参数值范围，并与多种实验测量直接建立联系。我们还将非均匀平均场理论推广到研究具有谐振陷阱的BH模型，包括（a）两种玻色子或（b）自旋-1玻色子。对于两种玻色子，当包含二次约束势时，我们得到了丰富的相图，包含多种SF和MI相及其相关壳层。对于自旋-1 BH模型，我们通过一个代表性实例表明，系统可以呈现极化的SF和MI相的交替壳层；并为这类系统中的实验做出了有趣的预测。
引用
@article{arxiv.1201.1642,
title = {Bose-Hubbard Models in Confining Potentials: An Inhomogeneous Mean-Field Theory},
author = {Ramesh V. Pai and Jamshid Moradi Kurdestany and K. Sheshadri and Rahul Pandit},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.1642},
year = {2015}
}
备注
17 pages, 18 figures