BiOi 复合体的双稳态及其对受主移除评估的影响

我们研究了 p 型硅二极管中 B$_{i}$O$_{i}$ 缺陷浓度对掺杂、辐照注量及粒子类型的依赖关系。我们证实，对于高于 $10^{12}$ 1 MeV 中子/cm$^2$ 的注量，出现较大的数据分散，且在更高注量下变得显著更大。我们表明 B$_{i}$O$_{i}$ 缺陷是亚稳态的，具有 A 和 B 两种构型，其中仅 A 可被深能级瞬态谱和热电激电流技术检测到。该缺陷的电学活性受环境和实验步骤条件固有变化的影响，不仅导致同类测量结果出现很大分散，而且使不同类型实验之间的任何关联都变得困难。证据表明，[B$_{i}$O$_{i}^\mathrm{A}$] 的变化是由样品在实验前处理时经受载流子过剩（通过加热或固有的短暂环境光暴露）所触发。这导致 [B$_{i}$O$_{i}^\mathrm{A}$] 和有效空间电荷均产生约 7 小时的变动。对经 10$^{19}$ 1 MeV 中子/cm$^2$ 辐照的二极管结构损伤分析表明，硅结构保持结晶态，空位和间隙原子在垂直于 Si-SiO$_{2}$ 界面的平行径迹中排列。