近饱和区的有机磁阻：小器件中的介观效应

在小面积的有机发光二极管中，电流可能由有限数量 N 个发生电子 - 空穴复合的位点主导。因此，对环境原子核在这些位点产生的超精细磁场 b_h 的平均是不完全的。这在磁场 B 下产生了一个随机的（介观）电流分量 {\Delta}I(B)，其相对量级约为 N^(-1/2)。为了量化 {\Delta}I(B) 的统计特性，我们计算了关联函数 K(B, {\Delta}B)= <{\delta}I(B - {\Delta}B/2){\delta}I(B + {\Delta}B/2)>，针对 {\Delta}B 的平行和垂直取向进行了分析。我们证明了介观涨落出现在 B>>b_h 的磁场下，此时平均磁阻接近饱和。这些涨落源于复合电子 - 空穴自旋对伙伴的 S 态和 T_0 态之间的慢拍频。我们将导致电流涨落的最相关过程归因于在稀疏的电子 - 空穴极化子对中产生的异常缓慢的拍频，这些位点上的 b_h 在外部磁场方向上的投影几乎重合。