超越第一性原理反应模拟器：在 GaN 金属有机气相外延中的应用
材料科学
2022-10-24 v1
摘要
为开发定量反应模拟器，我们利用应用于 GaN 金属有机气相外延系统的高分辨率飞行时间质谱（TOF-MS）数据进行了数据同化。将第一性原理知识纳入优化，成功再现了作为目标变量的 CH（一种杂质前驱体）的浓度以及已知反应路径。模拟结果显示 GaN 前驱体 GaH 的显著生成，而该物质在 TOF-MS 实验中难以检测。我们所提方法有望适用于其他需要超越第一性原理反应速率的定量预测的应用物理领域。
关键词
引用
@article{arxiv.2210.11748,
title = {Beyond ab initio reaction simulator: an application to GaN metalorganic vapor phase epitaxy},
author = {Akira Kusaba and Shugo Nitta and Kenji Shiraishi and Tetsuji Kuboyama and Yoshihiro Kangawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:2210.11748},
year = {2022}
}
备注
6 pages, 4 figures