混合价拓扑绝缘体 SmB6 的能带对称性
强关联电子
2015-02-04 v1
摘要
我们在密度泛函理论 (DFT) 框架下系统研究了混合价绝缘体 SmB 的能带结构和能带对称性。我们利用非相对论实立方基以及包含自旋轨道耦合和立方晶体场的相对论复基,分析了费米能级 () 附近 Sm 和 能带的对称性与特征。此外,我们发现位于 下方约 15 eV 处的半芯能带具有混合宇称,从而显著影响了特殊 点的宇称本征值。基于体相宇称表,我们讨论了 SmB 可能的表面态和拓扑类。
引用
@article{arxiv.1312.5898,
title = {Band symmetries of mixed-valence topological insulator: SmB6},
author = {Chang-Jong Kang and Junwon Kim and Kyoo Kim and J. -S. Kang and J. D. Denlinger and B. I. Min},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.5898},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 8 figures, 1 table