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混合价拓扑绝缘体 SmB6 的能带对称性

强关联电子 2015-02-04 v1

摘要

我们在密度泛函理论 (DFT) 框架下系统研究了混合价绝缘体 SmB6_{6} 的能带结构和能带对称性。我们利用非相对论实立方基以及包含自旋轨道耦合和立方晶体场的相对论复基,分析了费米能级 (EFE_F) 附近 Sm 4f4f5d5d 能带的对称性与特征。此外,我们发现位于 EFE_F 下方约 15 eV 处的半芯能带具有混合宇称,从而显著影响了特殊 k{\bf k} 点的宇称本征值。基于体相宇称表,我们讨论了 SmB6_{6} 可能的表面态和拓扑类。

关键词

引用

@article{arxiv.1312.5898,
  title  = {Band symmetries of mixed-valence topological insulator: SmB6},
  author = {Chang-Jong Kang and Junwon Kim and Kyoo Kim and J. -S. Kang and J. D. Denlinger and B. I. Min},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1312.5898},
  year   = {2015}
}

备注

6 pages, 8 figures, 1 table