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ABCA 四层石墨烯中 pn 结的能带结构与 Klein 悖论

介观与纳米尺度物理 2019-03-15 v1 量子物理

摘要

我们研究了在顶层与底层之间施加外势 VV 的 ABCA 四层石墨烯(ABCA-TTLG)的能带结构。利用紧束缚模型,包含最近邻跳跃 tt 与次近邻跳跃 tt',以及低能模型与双带近似模型,我们分别研究了第一布里渊区中沿 ΓMKΓ\Gamma-M-K-\Gamma 线的能带结构变化、Dirac 点 KK 附近的电子带隙以及透射性质。我们的结果表明,ABCA-TTLG 作为 tt'VV 的函数表现出显著不同的性质。我们显示跳跃参数 tt' 改变了能量色散、KK 的位置并破缺子晶格对称性。在 KK 处产生了一个可观的带隙,其可由外加势 VV 打开并调控。这导致了态密度(DOS)中一维状的 van Hove 奇异性(VHS)。我们研究了斜跳跃参数 γ3\gamma_3γ4\gamma_4 与这些性质的关联,并表明对于能量 E6E\gtrsim6meV 其影响可忽略。我们的结果经数值讨论并与文献作了对比。

关键词

引用

@article{arxiv.1903.05676,
  title  = {Band structure and Klein paradox for a pn junction in ABCA-tetralayer graphene},
  author = {Abderrahim El Mouhafid and Ahmed Jellal},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1903.05676},
  year   = {2019}
}

备注

7 pages, 10 figures. arXiv admin note: text overlap with arXiv:1302.5623, arXiv:0906.4634, arXiv:1303.0533 by other authors