三层石墨烯中的多带隧穿
介观与纳米尺度物理
2013-05-28 v1
摘要
研究了通过单栅或双栅实现的pn和pnp结中，三层石墨烯两种稳定形式（菱面体ABC堆垛和伯纳尔ABA堆垛）的电子隧穿特性。对于菱面体形式，由于电子的手性，在单栅器件中正入射时发现克莱因佯谬，而在高能量下，附加传播模式之间可能发生带间散射。伯纳尔ABA三层石墨烯中的电子在入射到单栅器件时可具有单层或双层类特性。然而，使用双栅时，两种传播模式会通过打破系统的镜面对称性而耦合，从而引发模间散射和依赖于双栅pnp结宽度的共振。对于ABC三层石墨烯，双栅打开了一个带隙，抑制了克莱因隧穿。双栅还引起了单谷电子隧穿角意想不到的不对称性。
引用
@article{arxiv.1303.0533,
title = {Multiband tunneling in trilayer graphene},
author = {B. Van Duppen and S. H. R. Sena and F. M. Peeters},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.0533},
year = {2013}
}