三层石墨烯中的手性隧穿
介观与纳米尺度物理
2015-06-04 v1
摘要
我们研究了 Bernal 堆垛和菱方堆垛三层石墨烯 (3LG) 中的手性隧穿效应。基于电子能带的手性，在 K 点处，(菱方) Bernal-3LG 在异质结处表现出 100% (50%) 的透射率。利用这一特性，我们进一步研究了 3LG 中的电子准直效应。由于 Berry 相的差异，我们表明，与单层和 Bernal 双层石墨烯相比，菱方 -3LG 是更优的电子准直器。鉴于 Bernal-3LG 可分解为由单层和改性 Bernal 双层石墨烯组成的两个独立通道，因此 Bernal-3LG 的电子准直能力弱于菱方 -3LG。
引用
@article{arxiv.1204.0961,
title = {Chiral tunneling in trilayer graphene},
author = {S. Bala Kumar and Jing Guoa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.0961},
year = {2015}
}
备注
APL, 2012; http://dx.doi.org/10.1063/1.3703758