交替扭转四层石墨烯的滑移依赖电子结构

我们研究了交替扭转四层石墨烯的电子结构，特别是其魔角 $\theta = 1.75^\circ$ 附近，针对其分隔两个扭转双层石墨烯的中间界面处不同的 AA、AB 和 SP 滑移几何构型。展示了这种滑移依赖性对最低能量价带和导带的带宽、带隙以及 $K$ 谷陈数随扭转角和层间电势差的变化。我们的分析表明，AA 滑移最有利于形成窄带和带隙，而 AB 滑移最易产生有限谷陈数。我们进一步分析了作为光子能量函数的线性纵向光吸收，以及特定跃迁能量下莫尔布里渊区中的吸收图谱。自洽哈特里计算表明，AA 系统的电子结构对载流子密度的变化最为敏感。