Co/BiSbTeSe2(0001) 体系中狄拉克点处的能带隙打开
材料科学
2019-12-30 v1
摘要
在 200–330 °C 下沉积于 BiSbTeSe2(0001) 表面的亚埃级 Co 覆盖层，在狄拉克点处打开能带隙，且狄拉克点位置因室温吸附物预沉积而发生移动。15–150 K 范围内的温度依赖测量显示能带隙宽度无变化。这一事实表明该能隙具有非磁性本质，可归因于引入 Co 吸附原子后表面态的化学杂化，后者降低了晶体学对称性并消除了表面态的拓扑保护。
引用
@article{arxiv.1912.11878,
title = {Band gap opening at the Dirac point in Co/BiSbTeSe2(0001) system},
author = {A. K. Kaveev and A. G. Banshchikov and A. N. Terpitskiy and V. A. Golyashov and O. E. Tereshchenko and K. A. Kokh and D. A. Estyunin and A. M. Shikin and E. F. Schwier},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.11878},
year = {2019}
}
备注
6 pages, 5 figures