BaBiO$_3$中温度响应电荷不均匀化的解析

本研究表明，BaBiO$_3$中Bi位点的电荷不均匀化随温度变化。将温度从300K降低至160K，导致费米能级（E$_\text{F}$）附近Bi-O杂化带态密度显著改变。这种改变表明Bi 6$sp$-O 2$p$杂化和E$_\text{F}$附近O 2$p$谱权的减少。较低温度下的共价性显著下降，伴随O 2$p$空穴密度的下降，这可能源于Bi 6$s$电荷向O 2$p$带的电荷转移。来自Bi-4$f$核心线谱的Bi电荷态分析显示，在300K时，$\delta$（两个交替Bi位之间电荷差值）在4$\pm\delta$中的值远小于在160K时，这揭示了BBO在低温下向离子化CD或静态CD过渡。另一方面，O 1$s$核心线谱显示不对称形状，温度依赖的形状和强度的修改被观察到。这突显了O 2$p$带空穴对Bi位点上动力学CD的显著影响。