与 InGaAs 单量子阱增益耦合的 Ag 开口环谐振器阵列
光学
2015-05-19 v1
摘要
我们研究了在约 1.5-\mu m 波长下工作的银开口环谐振器阵列，该阵列与 MBE 生长的单个 12.7 nm 薄 InGaAs 量子阱相耦合，量子阱与晶圆表面仅相距 4.8 nm。样品被保持在液氦温度下，并在泵浦-探测构型中由 0.81-\mu m 中心波长的强飞秒光脉冲泵浦。我们观察到，与裸量子阱（不超过 1-2%）相比，开口环谐振器阵列上的相对透射率变化要大得多（高达约 8%）。我们还观察到，与裸量子阱情形下发现的约 0.7 ns 相比，开口环谐振器耦合量子阱情形下的微分透射信号具有 15 ps 的快得多的时间衰减分量。后一观察结果被归因于由开口环谐振器与量子阱增益的倏逝耦合引起的 Purcell 效应。所有实验结果均与最近引入的、考虑了这种倏逝耦合的解析玩具模型进行了比较，结果显示出极佳的整体定性一致性。
关键词
引用
@article{arxiv.1009.0693,
title = {Arrays of Ag split-ring resonators coupled to InGaAs single-quantum-well gain},
author = {Nina Meinzer and Matthias Ruther and Stefan Linden and Costas M. Soukoulis and Galina Khitrova and Joshua Hendrickson and Joshua D. Olitsky and Hyatt M. Gibbs and Martin Wegener},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.0693},
year = {2015}
}