利用简并四波混频分辨InGaN多量子阱中的离散激发态
光学
2015-06-18 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报道了在蓝宝石衬底上生长的浅InGaN/GaN多量子阱（MQWs）上进行的双脉冲简并四波混频（DFWM）测量。这些测量揭示了受脉冲长度限制的信号衰减。我们发现在激子跃迁频率处DFWM信号存在10:1的共振增强，从而能够清晰地区分吸收谱中无特征分布内的离散激子贡献。激子共振的峰值位置与量子阱能级和光学跃迁矩阵元的完整k·p模型计算结果高度吻合。由于铟涨落效应，InGaN/GaN MQWs通常表现出强烈非均匀展宽的激发光谱；因此，该方法提供了一种实用手段，能够提取此前无法获得的激发激子态信息。
引用
@article{arxiv.1401.3156,
title = {Resolution of Discrete Excited States in InGaN Multiple Quantum Wells using Degenerate Four Wave Mixing},
author = {D. O. Kundys and J. -P. R. Wells and A. D. Andreev and S. A. Hashemizadeh and T. Wang and P. J. Parbrook and A. M. Fox and D. J. Mowbray and M. S. Skolnick},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.3156},
year = {2015}
}