高 Q regime 下基于 q 变形玻色子的半导体腔 QED 方法
量子物理
2019-08-17 v1
摘要
在高密度极限下，与单模微腔场相互作用的 Frenkel 激子是在 q 变形玻色子的框架中处理的。研究表明，当偏离低密度极限时，玻色子对易关系的 q 变形由激子算符自然满足。利用腔场与激子的缀饰态，给出了激子物理谱的解析表达式。我们还作了数值研究并将理论与实验结果作了比较。
引用
@article{arxiv.quant-ph/0001067,
title = {Approach to the semiconductor cavity QED in high-Q regimes with q-deformed boson},
author = {Yu-Xi Liu and C. P Sun and S. X. Yu and D. L. Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:quant-ph/0001067},
year = {2019}
}
备注
6 pages, 2 figures