高激发半导体中激子的密度依赖压缩
凝聚态物理
2007-05-23 v1
摘要
基于玻色子形式体系和随机相位近似，从理论上研究了高密度激子从相干态到压缩态的时间演化。考虑了激子之间的相互作用以及由于激子相空间填充引起的非谐激子-光子相互作用。结果表明，激子压缩强烈依赖于半导体中的激子密度，并随着密度的增加而减小。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9507140,
title = {Density-Dependent Squeezing of Excitons in Highly Excited Semiconductors},
author = {Nguyen Hong Quang},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9507140},
year = {2007}
}
备注
6 pages, Two figures (ps) available from author upon request