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色散近似下含 q-变形玻色子的半导体腔量子电动力学的耗散动力学

量子物理 2007-10-23 v1

摘要

本文给出了在高密度区域下,NN 个 Frenkel 激元集合与单模腔场色散耦合的动力学的完全解析描述,同时考虑了激元和腔场的耗散。通过将激元算符作为系统的 q-变形玻色算符,我们在零温下解析求解了密度算符的 Liouville 方程,并研究了激元数量以及两种耗散对系统动力学行为的影响。我们利用主方程的解探讨了非经典性质的耗散动力学,如分子 - 场纠缠、场的正交压缩以及分子偶极压缩。我们发现,非经典性质受到激元数量以及两种耗散存在的强烈影响。

关键词

引用

@article{arxiv.0710.3839,
  title  = {Dissipative dynamics of the semiconductor-cavity QED with q-deformed bosons in the dispersive approximation},
  author = {E. Karimzadeh Esfahani and R. Roknizadeh and M. H. Naderi},
  journal= {arXiv preprint arXiv:0710.3839},
  year   = {2007}
}

备注

12 pages, 6 Figures