填充因子ν = 4i处的反常电阻脊
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v2
摘要
我们报道了SiO₂/Si(100)/SiO₂量子阱磁电阻中的反常结构。当相反谷的朗道能级在费米能级处发生重合时，纵向电阻在填充因子为4的整数倍(ν=4i)处出现升高，并在ν=4i两侧伴随抑制。当扫描磁场或谷劈裂时，这种现象持续存在，导致沿ν=4i方向延伸的电阻脊。观察到它们的磁场范围指向自旋简并的作用，这通过它们在面内磁场下的消失得到直接证实。数据表明，这是一种由谷和自旋的联合简并引起的新型多体效应。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0611662,
title = {Anomalous Resistance Ridges Along Filling Factor $\nu = 4i$},
author = {K. Takashina and M. Brun and T. Ota and D. K. Maude and A. Fujiwara and Y. Ono and Y. Takahashi and Y. Hirayama},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0611662},
year = {2009}
}
备注
Accepted for publication in Phys. Rev. Lett